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随着半导体、平板显示器和太阳能光伏等技术的快速发展，化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）作为两种重要的薄膜制备技术，正受到业界的广泛关注。作为这两种技术的核心材料，CVD和ALD

一、集成电路
1.1 金属互连和接触层/插塞
铝互连已经使用了很长时间。然而，随着持续的降频，需要更低电阻材料来降低RC延迟。如今，大多数器件选择铜互连。然而对于砷化镓器件，通

ALD 概述 原子层沉积 (ALD) 能够实现原子级的精确控制。 原子层沉积 (ALD) 的原理与化学气相沉积 (CVD) 相似，区别只是 ALD 反应将 CVD 反应分为两个半反应，在反应过程中保持

薄膜沉积是在几纳米到大约 100 微米范围内的基底上构建材料的过程。薄膜沉积有几种类型，每种技术在源的蒸发方式、沉积材料的速度、可用材料和产生的薄膜特性方面都有不同的特性。

“沉积”技术在我们使用的智能手机、个人电脑、汽车、半导体等产品的制造过程中至关重要。隐形涂层技术支持着我们的日常生活。由于沉积的类型很多，本文对不同类型的沉积及其特点进行总结介绍。

化学气相沉积 (CVD) 是一种通过在气相中产生活性物质，将纳米管、纳米线、颗粒、薄膜等固体材料沉积在基底上的工艺。当前体气体接触或经过加热的基底时，就会形成活性物质。CVD 有几种类型，包括金属有机化学气相沉积 (MOCVD)、低压化学气相沉积 (LPCVD) 和大气压化学气相沉积 (APCVD)。在 MOCVD 工艺中，金属有机物质用于形成金属和金属化合物（如金属氮化物和金属氧化物）的薄膜。