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讲解ALD、CVD、溅射的区别，介绍沉积的种类和特点！

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“沉积”技术在我们使用的智能手机、个人电脑、汽车、半导体等产品的制造过程中至关重要。

隐形涂层技术支持着我们的日常生活。

由于沉积的类型很多，本文对不同类型的沉积及其特点进行总结介绍。

沉积类型和特征列表

各种设备和方法可用于沉积，包括气相沉积、溅射和化学气相沉积 (CVD) 和旋涂。

即使是同一种物质的沉积，其性质也可能因所用方法的不同而有所不同。

因此有必要在一定程度上了解不同的沉积方法如何影响薄膜质量和性能。

请参阅此处的沉积方法列表。

薄膜制作方法	细节
蒸霧法	在真空容器内蒸发金属、氧化物等沉积材料，形成薄膜，并沉积在相对的基板表面上的技术。 参考文献※1.2.3.4
离子镀（IP）法	原理上与蒸镀法几乎相同，但蒸镀法是使蒸镀粒子通过等离子体，使蒸镀材料离子化。在 需要成膜的基板上施加负电压，使离子化的成膜材料加速，撞击基板，形成薄膜。通过 离子化和加速，可以形成附着力强的薄膜。 参考文献※1.5
溅射法	放电产生的等离子体离子（通常为Ar+离子）撞击沉积材料的板（靶），使材料溅射。 溅射出的沉积材料飞向基板，形成薄膜。 溅射法可用于多种沉积材料，例如熔点较高的金属和合金，而这些材料在蒸镀法中很难沉积。 参考文献※1.5.6
化学气相沉积（CVD）法	将含有待沉积元素的气体吹到基板表面，通过化学反应和分解来沉积薄膜的方法。CVD 有加热基板的热 CVD 和对反应管减压并产生等离子体的等离子 CVD 等不同类型。 参考文献※1.7.8
原子层沉积（ALD）方法	原子层沉积（ALD）虽然被称为CVD的一种，但其实是交替导入、排出两种以上的原料气体（前驱体、前驱体），使吸附的原料分子在沉积膜表面发生反应而形成膜的方法。 参考文献※8