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基于三甲基铝（TMA）和水作为前驱体生长氧化铝（Al₂O₃）薄膜的ALD recipe详细示例

热烈庆祝公司获得ISO9001质量体系认证

钙钛矿光伏在近年来获得了学术界和工业界的广泛关注，甚至资本市场已经开始向该领域倾注了巨量资金助推研发和量产工作。其优异的转化效率，低廉的成本以及多样的应用场景被普遍

随着半导体、平板显示器和太阳能光伏等技术的快速发展，化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）作为两种重要的薄膜制备技术，正受到业界的广泛关注。作为这两种技术的核心材料，CVD和ALD

一、集成电路
1.1 金属互连和接触层/插塞
铝互连已经使用了很长时间。然而，随着持续的降频，需要更低电阻材料来降低RC延迟。如今，大多数器件选择铜互连。然而对于砷化镓器件，通

ALD 概述 原子层沉积 (ALD) 能够实现原子级的精确控制。 原子层沉积 (ALD) 的原理与化学气相沉积 (CVD) 相似，区别只是 ALD 反应将 CVD 反应分为两个半反应，在反应过程中保持

薄膜沉积是在几纳米到大约 100 微米范围内的基底上构建材料的过程。薄膜沉积有几种类型，每种技术在源的蒸发方式、沉积材料的速度、可用材料和产生的薄膜特性方面都有不同的特性。

“沉积”技术在我们使用的智能手机、个人电脑、汽车、半导体等产品的制造过程中至关重要。隐形涂层技术支持着我们的日常生活。由于沉积的类型很多，本文对不同类型的沉积及其特点进行总结介绍。

化学气相沉积 (CVD) 是一种通过在气相中产生活性物质，将纳米管、纳米线、颗粒、薄膜等固体材料沉积在基底上的工艺。当前体气体接触或经过加热的基底时，就会形成活性物质。CVD 有几种类型，包括金属有机化学气相沉积 (MOCVD)、低压化学气相沉积 (LPCVD) 和大气压化学气相沉积 (APCVD)。在 MOCVD 工艺中，金属有机物质用于形成金属和金属化合物（如金属氮化物和金属氧化物）的薄膜。